Datasheet > 5962-8685918UA

5962-8685918UA

更新时间： 2024-02-07 09:44:54

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		存储静态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	114K
描述
16K x 4 SRAM SRAM MEMORY ARRAY

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

5962-8685918UA 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QLCC
包装说明：	QCCN,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
JESD-30 代码：	R-XQCC-N28	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	16KX4
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	QCCN
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	Base Number Matches：	1

5962-8685918UA 数据手册

SRAM

MT5C6405

Austin Semiconductor, Inc.

16K x 4 SRAM

PIN ASSIGNMENT

(Top View)

SRAM MEMORY ARRAY

24-Pin DIP (C)

(300 MIL)

AVAILABLE AS MILITARY

SPECIFICATIONS

•

SMD 5962-86859

Vcc

• MIL-STD-883

A10

A11

A12

A13

CE\ 10

OE\ 11

Vss 12

FEATURES

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

WE\

• High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, and 70ns

• Battery Backup: 2V data retention

• High-performance, low-power CMOS double-metal

process

• Single +5V (+10%) Power Supply

• Easy memory expansion with CE\

• All inputs and outputs are TTL compatible

28-Pin LCC (EC)

2 1 28 27

OPTIONS

• Timing

MARKING

26 NC

25 A4

24 A3

23 A2

22 A1

21 A0

20 DQ4

19 DQ3

18 DQ2

12ns access

15ns access

20ns access

25ns access

35ns access

45ns access

55ns access

70ns access

-12

-15

-20

-25

-35

-45*

-55*

-70*

A10

A11

A12

A13

CE\

13 14 15 16 17

• Package(s)

Ceramic DIP (300 mil)

Ceramic LCC

GENERAL DESCRIPTION

E C

No. 106

No. 204

The Austin Semiconductor SRAM family employs

high-speed, low-power CMOS designs using a four-transistor

memory cell. Austin Semiconductor SRAMs are fabricated

using double-layer metal, double-layer polysilicon

technology.

• Operating Temperature Ranges

Industrial (-40^oC to +85^oC)

Military (-55^oC to +125^oC)

For flexibility in high-speed memory applications, Austin

Semiconductor offers chip enable (CE\) and output enable

(OE\) capability. These enhancements can place the outputs

in High-Z for additional flexibility in system design.

Writing to these devices is accomplished when write

enable (WE\) and CE\ inputs are both LOW. Reading is

accomplished when WE\ remains HIGH and CE\ and OE\ go

LOW. The device offers a reduced power standby mode when

disabled. This allows system designs to achieve low standby

power requirements.

• 2V data retention/low power

*Electrical characteristics identical to those provided for the 35ns

access devices.

For more products and information

please visit our web site at

www.austinsemiconductor.com

All devices operate from a single +5V power supply and

all inputs and outputs are fully TTL compatible.

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

MT5C6405

Rev. 2.0 5/01

12 3 4 5 6 7...11

下载PDF

与5962-8685918UA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-8685918UX	ETC	x4 SRAM	获取价格
5962-8685918XA	IDT	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28	获取价格
5962-8685918XX	ETC	x4 SRAM	获取价格
5962-8685919KA	IDT	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERPACK-24	获取价格
5962-8685919KX	IDT	Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, 0.640 X 0.420 INCH, 0.090 HEIGHT, FP-24	获取价格
5962-8685919TX	ETC	x4 SRAM	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

5962-8685918UA

5962-8685918UA 技术参数

5962-8685918UA 数据手册

与5962-8685918UA相关器件

与5962-8685918UA相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

5962-8685918UA

5962-8685918UA 技术参数

5962-8685918UA 数据手册

与5962-8685918UA相关器件

与5962-8685918UA相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？