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5962-8685919KA

更新时间: 2024-11-29 14:39:55
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 209K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERPACK-24

5962-8685919KA 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DFP
包装说明:0.300 INCH, CERPACK-24针数:24
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.37
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-GDFP-F24
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16KX4输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DFP封装等效代码:FL24,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B座面最大高度:2.286 mm
最大待机电流:0.001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.115 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:9.144 mm
Base Number Matches:1

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