是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | 0.300 INCH, CERPACK-24 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.37 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDFP-F24 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 16KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DFP | 封装等效代码: | FL24,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 2.286 mm |
最大待机电流: | 0.001 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.115 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 9.144 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962-8685919KX | IDT |
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Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, 0.640 X 0.420 INCH, 0.090 HEIGHT, FP-24 | |
5962-8685919TX | ETC |
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x4 SRAM | |
5962-8685919WX | ETC |
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x4 SRAM | |
5962-8685919YX | IDT |
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Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22 | |
5962-8685919ZX | ETC |
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x4 SRAM | |
5962-8685920KA | IDT |
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Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERPACK-24 | |
5962-8685920KX | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, 0.640 X 0.420 INCH, 0.090 HEIGHT, FP-24 | |
5962-8685920TX | ETC |
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x4 SRAM | |
5962-8685920WX | ETC |
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x4 SRAM | |
5962-8685920YX | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 55ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22 |