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5962-8601505YX

更新时间: 2024-11-04 20:15:35
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, CDIP22,

5962-8601505YX 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.54Is Samacsys:N
最长访问时间:55 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-GDIP-T22内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端子数量:22
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP22,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.02 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.105 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

5962-8601505YX 数据手册

 浏览型号5962-8601505YX的Datasheet PDF文件第2页 

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