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5962-8601506YX

更新时间: 2024-01-10 09:55:27
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
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23页 704K
描述
x1 SRAM

5962-8601506YX 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:QFN
包装说明:QCCN,针数:22
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.06
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-CQCC-N22长度:13.446 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:22字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:64KX1封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
认证状态:Qualified筛选级别:MIL-STD-883
座面最大高度:1.981 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
宽度:7.366 mmBase Number Matches:1

5962-8601506YX 数据手册

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