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50A_11

更新时间： 2024-11-25 07:54:59

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Silicon Rectifier

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50A_11 数据手册

50A CELL SERIES

硅整流器 Silicon Rectifier

■特征 Features

■外形尺寸和印记Outline Dimensions and Mark

●

I_o

50A

50A CELL

●

V_RRM

100V~1000V

●

电极表面高可焊性

Silicone Rubber

Bottom Electrode

.087(2.2)

.071(1.8)

Solderable electrode surface

耐正向浪涌电流能力高

High surge forward current capability

用途 Applications

■

●

作一般单相整流用

.326(8.3)

.319(8.1)

Upper Electrode

General purpose 1 phase

rectifier applications

Dimensions in inches and (millimeters)

极限值（绝对最大额定值）

Limiting Values（Absolute Maximum Rating）

50A

符号

Symbol Unit

单位

参数名称

Item

条件

Conditions

100V200V400V600V800V1000V

反向重复峰值电压

Repetitive Peak Reverse Voltage

平均整流输出电流

Average Rectified Output

Current

V_RRM

I_O

100 200 400 600 800 1000

60H_Z正弦波，电阻负载，T_a=50℃

60H_Zsine wave, R- load, T_a=50℃

正向（不重复）浪涌电流

Surge(Non-repetitive)Forward

Current

60H_Z正弦波，一个周期，T_a=25℃

60H_Zsine wave, 1 cycle, T_a=25℃

I_FSM

500

1ms≤t＜8.3ms T =25℃,单个二

极管

正向浪涌电流的平方对电流浪

涌持续

时间的积分值

I²t

A²s

1042

1ms≤t＜8.3ms T =25℃,Rating of

Current Squared Time

per diode

存储温度

T_stg

T_j

-55 ~+150

-55 ~+125

℃

Storage Temperature

结温

Junction Temperature

■电特性（T =25℃ 除非另有规定）

Electrical Characteristics（T_a=25℃ Unless otherwise specified）

参数名称

Item

符号单位

Symbol Unit

测试条件

Test Condition

最大值

Max

正向峰值电压

Peak Forward Voltage

反向峰值电流

I_FM=50A,脉冲测试，单个二极管的额定值

I_FM=50A, Pulse measurement, Rating of per diode

V_FM

I_RRM1

I_RRM2

1.1

T =25℃

V_RM=V_RRM

μA

Peak Reverse Current

T =125℃

500

结和环境之间

Between junction and ambient

热阻

1.5

θJ-A

℃/W

Thermal Resistance

扬州扬杰电子科技股份有限公司

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

Document Number 0085

Rev. 1.0, 22-Sep-11

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