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50A02MH

更新时间： 2024-11-21 07:54:59
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 放大器
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

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50A02MH 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：690 MHz

50A02MH 数据手册

 浏览型号50A02MH的Datasheet PDF文件第2页浏览型号50A02MH的Datasheet PDF文件第3页浏览型号50A02MH的Datasheet PDF文件第4页 
Ordering number : ENN7488  
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
50A02MH  
Low-Frequency  
General-Purpose Amplifier Applications  
Applications  
Package Dimensions  
unit : mm  
2194A  
•
Low-frequency Amplifier, high-speed switching,  
small motor drive, muting circuit.  
[50A02MH]  
0.3  
Features  
0.15  
•
3
Large current capacitance.  
•
Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).  
R
(sat) typ=210mΩ [I =0.5A, I =50mA].  
CE  
C
B
•
Small ON-resistance (Ron).  
2
1
0.65  
2.0  
(Bottom view)  
3
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
1
2
Specifications  
SANYO : MCPH3  
(Top view)  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
--50  
--50  
V
-- 5  
V
I
--500  
mA  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
I
-- 1 . 0  
CP  
P
Mounted on a ceramic board (600mm2✕0.8mm)  
600  
mW  
°C  
°C  
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
--100  
--100  
500  
I
V
V
V
V
V
=--40V, I =0  
nA  
nA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=--4V, I =0  
C
EBO  
h
FE  
=--2V, I =--10mA  
200  
C
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
T
=--10V, I =--50mA  
C
690  
MHz  
pF  
Cob  
=--10V, f=1MHz  
3.8  
--60  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
Base-to-Emitter Saturation Voltage  
Marking : AM  
V
V
(sat)  
I
C
=--100mA, I =--10mA  
--120  
--1.2  
mV  
V
CE  
B
(sat)  
I
C
=--100mA, I =--10mA  
--0.9  
BE  
B
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
http://semicon.sanyo.com/en/network  
O3103 TS IM TA-100701 No.7488-1/4  
1234

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与50A02MH相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
50A02MH-TL-E ONSEMI

获取价格

 		双极晶体管，-50V，-0.5A，低 VCE (sat)，PNP 单 MCPH3
50A02SP SANYO

获取价格

 		50A02SP
50A02SS SANYO

获取价格

 		Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
50A02SS-TL-E ONSEMI

获取价格

 		双极晶体管，-50V，-0.4A，低饱和压，PNP 单 SSFP
50A1000V YANGJIE

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50A100V YANGJIE

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50A10101 ETC

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50A-10101 ETC

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 		Delay Line
50A10151 ETC

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 		Delay Line

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