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50A02SP

更新时间: 2024-11-24 21:54:55
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三洋 - SANYO 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
50A02SP

50A02SP 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.27Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.4 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):690 MHzBase Number Matches:1

50A02SP 数据手册

 浏览型号50A02SP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号50A02SP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号50A02SP的Datasheet PDF文件第4页 
注文コーNo. N 7 4 9 0  
No. N 7490  
O3103  
PNP ピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ  
50A02SP  
用途 ・低周波電力増幅、高速度スイッチング、小型モータのドライブ、ミューティング回路。  
低周波一般増幅用  
特長 ・電流容量が大きい。  
・コレクタ・エミッタ飽和電抵抗低い:R (sat)typ=210m [I =0.5A,I =50m A]。  
CE  
C
B
Ron小さい。  
絶対最大定AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
V
コレクタ・ベース電圧  
コレクタ・エミッタ電圧  
エミッタ・ベース電圧  
コレクタ電流  
V
V
V
50  
50  
-5  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
C
500  
1.0  
400  
m A  
A
コレクタ電流(パルス)  
コレクタ損失  
I
CP  
P
m W  
C
接合部温度  
Tj  
150  
保存周囲温度  
Tstg  
55150  
電気的特ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
m in  
200  
typ  
m ax unit  
コレクタしゃ断電流  
エミッタしゃ断電流  
直流電流増幅率  
利得帯域幅積  
I
V
V
V
V
V
=-40V,I =0  
E
100  
100  
500  
nA  
nA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
I
EBO  
=-4V,I =0  
C
h
=-2V,I =10m A  
C
FE  
f
T
=-10V,I =50m A  
C
690  
3.8  
M Hz  
pF  
出力容量  
Cob  
=-10V,f=1M Hz  
次ページへ続く。  
単体品名表示:XN  
外形図ꢀ2033A  
(unit:m m )  
2.2  
4.0  
0.4  
0.5  
0.4  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を  
要する用生命維持装置空機のコント  
ロールシステム等、多大な人的・物的損害  
を及ぼす恐れのある用途対応する仕様に  
0.4  
はなっておりません。そのような場合には、  
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下  
さい。  
1
1.3  
2
3
1.3  
1:Em itter  
2:Collector  
3:Base  
本書記載の規格値(大定格、動作条件範囲  
等)を瞬時たりとも越えて使用しの結果  
発生した機器の欠陥について、弊社は責任  
を負いません。  
3.0  
3.8nom  
SANYO :SPA  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
O3103TS IM TA-100639No.7490-1/4  

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