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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T10 |
| 针数： | 10 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T10 | 端子数量： | 10 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 28 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 4AK23 | HITACHI |
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Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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| 4AK25 | HITACHI |
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Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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| 4AK26 | HITACHI |
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Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
|
| 4AK27 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 4ALS520 | TI |
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8-BIT IDENTITY COMPARATORS |
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| 4AM01MH5 | SANYO |
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High-side Switch |
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| 4AM02MH5 | SANYO |
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High-side Switch |
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| 4AM03MH5 | SANYO |
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4AM03MH5 |
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| 4AM04MH5 | SANYO |
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4AM04MH5 |
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| 4AM11 | HITACHI |
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Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array |
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