生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOF, FL5/6,.07,25 | 针数: | 5 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.84 | 系列: | 4A |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | 长度: | 2 mm |
逻辑集成电路类型: | BUFFER | 最大I(ol): | 0.001 A |
功能数量: | 1 | 输入次数: | 1 |
端子数量: | 5 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 输出特性: | OPEN-DRAIN |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOF |
封装等效代码: | FL5/6,.07,25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 电源: | 5/25 V |
认证状态: | Not Qualified | 施密特触发器: | NO |
子类别: | Gates | 最大供电电压 (Vsup): | 25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 1.6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
4AM04MH5 | SANYO |
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4AM04MH5 | |
4AM11 | HITACHI |
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Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array | |
4AM12 | ETC |
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||
4AM13 | HITACHI |
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Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array | |
4AM14 | ETC |
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||
4AM15 | HITACHI |
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Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array | |
4AM16 | HITACHI |
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Silicon N-Channel/P-Channel Power MOSFET Array | |
4AM16 | RENESAS |
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0.24ohm, POWER, FET, SP12, 12 PIN | |
4AM17 | HITACHI |
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Silicon N/P Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
4AM-ARV-119 | ETC |
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MOTOR LUFT D71 MONT UMKEHRBAR 4 FLUEG |