4AK23

更新时间： 2024-02-14 08:01:20

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日立 - HITACHI		晶体晶体管开关脉冲局域网
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6页	42K
描述
Silicon N-Channel Power MOS FET Array

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4AK23 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SP-12TA, 12 PIN
针数：	12	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T12
元件数量：	4	端子数量：	12
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

4AK23

Silicon N-Channel Power MOS FET Array

Application

High speed power switching

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)0.25 , V_GS= 10 V, I_D= 2.5 A

Low drive current

•

High speed switching

High density mounting

Suitable for H-bridged motor driver

Outline

SP-12TA

1, 5, 8, 12. Gate

2, 4, 9, 11. Drain

3, 6, 7, 10. Source

S 3

S 6

S 7

S 10

12 3 4 5 6

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