4AK25

更新时间： 2024-09-23 22:15:43

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日立 - HITACHI		晶体晶体管功率场效应晶体管
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描述
Silicon N-Channel Power MOS FET Array

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4AK25 数据手册

4AK25

Silicon N-Channel Power MOS FET Array

Application

High speed power switching

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)0.45 , V_GS= 10 V, I_D= 1 A

Low drive current

•

High speed switching

High density mounting

Outline

SP-10

2 G

1 S

1, 10.

Source

2, 4, 6, 8. Gate

3, 5, 7, 9. Drain

S 10

12 3 4 5 6

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