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3SK176A-UHG-A

更新时间： 2024-02-29 23:23:55

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体放大器晶体管场效应晶体管有线电视光电二极管栅
页数	文件大小	规格书
6页	59K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4

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3SK176A-UHG-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.13	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (ID)：	0.025 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	21 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

3SK176A-UHG-A 数据手册

3SK176A

OUTPUT CAPACITANCE vs.

GATE2 TO SOURCE VOLTAGE

POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs.

GATE2 TO SOURCE VOLTAGE

DS = 6 V

f = 1 MHz

2.0

1.0

= 10 mA at VG2S = 3 V

= 5 mA at VG2S = 3 V

f = 470 MHz

= 10 mA

(at V^DS= 6 V

VG2S = 3 V)

–10

–20

–1.0

1.0

2.0

3.0

4.0

–2.0

2.0

4.0

6.0

8.0

G2S – Gate 2 to Source Voltage – V

VG2S – Gate 2 to Source Voltage – V

NF TEST CIRCUIT AT f = 55 MHz

G2S

RFC

Ferrite

Beads

2.2 kΩ

1 500 pF

1 000 pF

INPUT

50 Ω

OUTPUT

27 pF

47 kΩ

3.3 kΩ

47 kΩ

27 pF

3.3 kΩ

50 Ω

1 000 pF

G1S

1 234 5 6

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