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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.11 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 15 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.035 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3SK137VIW-TL | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 15V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 3SK137VIW-UL | RENESAS |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 15V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 3SK137VIW-UR | RENESAS |
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35mA, 15V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 3SK138 | ETC |
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| 3SK138IX | RENESAS |
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35mA, 15V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 3SK138IX-TL | RENESAS |
获取价格 |
35mA, 15V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 3SK138IX-TR | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 15V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 3SK138IX-UL | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 15V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 3SK139 | PANASONIC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| 3SK139H | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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