3N90G-TQ2-R

更新时间： 2024-11-05 07:41:35

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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6页	218K
描述
3 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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3N90G-TQ2-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	4.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

3N90G-TQ2-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

3N90

Power MOSFET

3 Amps, 900 Volts N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 3N90 provides excellent R_DS(ON), low gate charge and

operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications.

FEATURES

* R_DS(ON)=4.1Ω @V_GS=10 V

* Ultra Low Gate Charge ( typical 22.7 nC )

* Low Reverse Transfer Capacitance ( C_RSS= Typical 13 pF )

* Fast Switching Capability

* Avalanche Energy Specified

* Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

3N90L-TA3-T

3N90L-TF3-T

3N90L-TQ2-T

3N90L-TQ2-R

3N90G-TA3-T

3N90G-TF3-T

3N90G-TQ2-T

3N90G-TQ2-R

TO-220

TO-220F

TO-263

Tube

Tape Reel

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-290.A

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