3N80L-TA3-T

更新时间： 2024-11-05 06:15:59

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6页	200K
描述
2.5 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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3N80L-TA3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	170 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	4.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

3N80L-TA3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

3N80

Preliminary

Power MOSFET

2.5 Amps, 800 Volts

N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 3N80 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate

voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

FEATURES

* R_DS(ON)=3.8Ω @V_GS=10 V

* Ultra low gate charge ( typical 19 nC )

* Low reverse transfer capacitance ( C_RSS= typical 11 pF )

* Fast switching capability

Lead-free:

Halogen-free: 3N80G

3N80L

* Avalanche energy specified

* Improved dv/dt capability, high ruggedness

SYMBOL

2.Drain

3.Gate

1.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Normal

Lead Free

3N80L-TA3-T

3N80L-TF3-T

Halogen Free

3N80G-TA3-T

3N80G-TF3-T

3N80-TA3-T

3N80-TF3-T

TO-220

Tube

TO-220F

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-283,a

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