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30KPA54AE3

更新时间: 2024-09-16 14:37:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
8页 477K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 54V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, P600, 2 PIN

30KPA54AE3 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.69Is Samacsys:N
最大击穿电压:66 V最小击穿电压:60.3 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:30000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:8 W
最大重复峰值反向电压:54 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

30KPA54AE3 数据手册

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