30KPA132A

更新时间： 2024-11-05 12:24:27

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MERITEK		瞬态抑制器二极管局域网
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Transient Voltage Suppressors

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30KPA132A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.42
Is Samacsys：	N	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	147.4 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：	30000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	8 W	最大重复峰值反向电压：	132 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

30KPA132A 数据手册

Transient Voltage Suppressors

30KPA Series

MERITEK

UL E223045

FEATURES

Plastic package.

Glass passivated junction.

30,000W Peak Pulse Power capability on 10/1000µs waveform.

Excellent clamping capability.

Repetition rate (duty cycle): 0.05%.

Low incremental surge resistance.

Fast response time: typically less than 1.0ps from 0 volt to BV.

High temperature soldering guaranteed: 265°C/10 seconds/.375",

(9.5mm) lead length, 5lbs., (2.3kg) tension.

P600

MECHANICAL DATA

Case: Molded plastic over glass passivated junction.

Terminals: Plated Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026.

Polarity: Color band denotes cathode except Bipolar.

Mounting Position: Any.

Weight: 0.07 ounce, 2.3 grams.

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATION

For Bidirectional use C or CA suffix for type 30KPA30 through type 30KPA288 (e.g. 30KPA30C, 30KPA288CA);

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

RATING

SYMBOL

P_PPM

VALUE

UNIT

Watts

s waveform.

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000

Minimum 30,000

(Note 1, Fig. 1)

Peak Pulse Current on 10/1000 s waveform. (Note 1, Fig. 3)

I_PPM

Amps

See Table

°C

Steady State Power Dissipation at T_L=75 , Lead length .375”

P_M(AV)

8.0

Watts

(9.5mm). (Fig. 5)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave

Superimposed on Rated Load. (JEDEC Method) (Note 2, Fig. 6)

Operating junction and Storage Temperature Range.

I_FSM

400

Amps

T_J, T_STG

-55 to +175

°C

Notes:ꢀꢀ 1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA = 25

per Fig. 2.

2. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, Duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

All specifications are subject to change without notice.

Rev 7

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
30KPA132AB	LITTELFUSE	获取价格	30000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKA
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30KPA132AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 132V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H
30KPA132AE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 132V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R
30KPA132A-HR	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 132V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
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