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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> 30KPA132A-HR
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30KPA132A-HR

更新时间： 2024-11-05 13:00:27
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 134K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 132V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

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30KPA132A-HR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.69其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压：162.14 V最小击穿电压：147.4 V
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值反向功率耗散：30000 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：8 W
参考标准：IEC-61000-4-2; IEC-61000-4-4最大重复峰值反向电压：132 V
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

30KPA132A-HR 数据手册

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TransientVoltage Suppression Diodes  
Axial Leaded – 30000W > 30KPA series  
RoHS  
30KPA Series  
Description  
The 30KPA Series is designed specifically to protect  
sensitive electronic equipment from voltage transients  
induced by lightning and other transient voltage events.  
Features  
tꢀ)BMPHFOꢁ'SFF  
tꢀ -PXꢀJODSFNFOUBMꢀTVSHFꢀ  
resistance  
tꢀ 3P)4ꢀDPNQMJBOU  
tꢀ 5ZQJDBMꢀ*R less than 2μA  
above 73V  
tꢀ 5ZQJDBMꢀNBYJNVNꢀ  
temperature coefficient  
ΔVBR = 0.1% x VBR@25°C x ΔT tꢀ )JHIꢀUFNQFSBUVSFꢀ  
soldering guaranteed:  
260°C/40 seconds /  
0.375”,(9.5mm) lead  
length, 5 lbs., (2.3kg)  
tension  
tꢀ 1MBTUJDꢀQBDLBHFꢀIBTꢀ  
Underwriters Laboratory  
Flammability classification  
94V-O  
tꢀ (MBTTꢀQBTTJWBUFEꢀDIJQꢀ  
junction in P600 package  
Agency Approvals  
AGENCY  
AGENCY FILE NUMBER  
E230531  
tꢀ ꢂꢃꢃꢃꢃ8ꢀQFBLꢀQVMTFꢀ  
capability at 10×1000μs  
waveform, repetition rate  
(duty cycles):0.01%  
tꢀ 'BTUꢀSFTQPOTFꢀUJNFꢄꢀ  
typically less than 1.0ps  
from 0 Volts to BV min  
Maximum Ratings andThermal Characteristics  
(TA=25OC unless otherwise noted)  
tꢀ .BUUFꢀ5JOꢀ-FBEoGSFFꢀQMBUFE  
tꢀ &YDFMMFOUꢀDMBNQJOHꢀ  
capability  
Parameter  
Symbol  
PPPM  
Value  
Unit  
W
Peak Pulse Power Dissipation by  
10x1000μs test waveform (Fig.1)  
(Note 1)  
Applications  
30000  
TVS devices are ideal for the protection of I/O interfaces,  
CC bus and other vulnerable circuits used in telecom,  
computer, industrial and consumer electronic applications.  
Steady State Power Dissipation on  
inifinite heat sink atTL=75ºC (Fig. 5)  
PD  
8.0  
W
A
V
Peak Forward Surge Current, 8.3ms  
Single Half Sine Wave Unidirectional  
only (Note 2)  
IFSM  
400  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
T , TSTG -55 to 175  
°C  
J
TypicalThermal Resistance Junction  
to Lead  
RuJL  
RuJA  
8.0  
40  
°C/W  
°C/W  
TypicalThermal Resistance Junction  
to Ambient  
Notes:  
1. Non-repetitive current pulse , per Fig. 3 and derated aboveTA = 25OC per Fig. 2.  
2. Measured on 8.3ms single half sine wave or equivalent square wave, duty cycle=4 per  
minute maximum.  
©2009 Littelfuse, Inc.  
123  
Revision: January 09, 2009  
30KPA Series  
Specifications are subject to change without notice.  
Please refer to http://www.Littelfuse.com/series/30KPA.html for current information.  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
30KPA132A-HRA LITTELFUSE

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 		暂无描述
30KPA132ATR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 132V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P
30KPA132ATRE3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 132V V(RWM), Unidirectional,
30KPA132C MICROSEMI

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 		Transient Suppressor,
30KPA132C NJSEMI

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 		Diode TVS Single Bi-Dir 132V 30KW 2-Pin Case P600 T/R
30KPA132C LITTELFUSE

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 		30KPA系列可专门用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响
30KPA132CA TAITRON

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