是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-PALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.41 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
最小击穿电压: | 147.4 V | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 30000 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 8 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 132 V | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
30KPA132A-B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Transient Voltage Suppression Diodes | |
30KPA132AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 132V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H | |
30KPA132AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 132V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R | |
30KPA132A-HR | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 132V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, | |
30KPA132A-HRA | LITTELFUSE |
获取价格 |
暂无描述 | |
30KPA132ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 132V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P | |
30KPA132ATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 132V V(RWM), Unidirectional, | |
30KPA132C | MICROSEMI |
获取价格 |
Transient Suppressor, | |
30KPA132C | NJSEMI |
获取价格 |
Diode TVS Single Bi-Dir 132V 30KW 2-Pin Case P600 T/R | |
30KPA132C | LITTELFUSE |
获取价格 |
30KPA系列可专门用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响 |