30ETH06PBF

更新时间： 2024-02-18 20:34:22

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Hyperfast Rectifier

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30ETH06PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE
应用：	HYPERFAST SOFT RECOVERY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.75 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	30 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

30ETH06PBF 数据手册

Bulletin PD-20880 rev. B 10/06

30ETH06PbF

Hyperfast Rectifier

Features

t_rr= 28ns typ.

I_F(AV)= 30Amp

V_R= 600V

•

Hyperfast Recovery Time

Low Forward Voltage Drop

Low Leakage Current

175°C Operating Junction Temperature

Dual Diode Center Tap

Lead-Free ("PbF" suffix)

Description/ Applications

State of the art Hyperfast recovery rectifiers designed with optimized performance of forward voltage drop,

Hyperfast recover time, and soft recovery.

The planar structure and the platinum doped life time control guarantee the best overall performance, ruggedness

and reliability characteristics.

These devices are intended for use in PFC Boost stage in the AC-DC section of SMPS, inverters or as freewheeling

diodes.

The IR extremely optimized stored charge and low recovery current minimize the switching losses and reduce over

dissipation in the switching element and snubbers.

Absolute Maximum Ratings

Parameters

Max

Units

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

Peak Repetitive Reverse Voltage

Average Rectifier Forward Current

Non Repetitive Peak Surge Current

600

@ T_C= 103°C

@ T_J= 25°C

200

T_J, T_STGOperating Junction and Storage Temperatures

- 65 to 175

°C

Case Styles

Base

Cathode

Anode

TO-220AC

www.irf.com

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