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30A01C

更新时间： 2024-10-30 02:58:15
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 放大器
页数 文件大小 规格书
4页 33K
描述
Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

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30A01C 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：520 MHz
Base Number Matches：1

30A01C 数据手册

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Ordering number : ENN7509  
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
30A01C  
Low-Frequency  
General-Purpose Amplifier Applications  
Applications  
Package Dimensions  
unit : mm  
•
Low-frequency power amplifier, muting circuit.  
2018B  
Features  
[30A01C]  
•
Large current capacity.  
•
Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).  
0.4  
0.16  
3
R
(sat) typ=0.67Ω[I =0.3A, I =15mA].  
CE  
C
B
•
•
Ultrasmall package facilitates miniaturization in end  
products.  
Small ON-resistance (Ron).  
0 to 0.1  
0.95  
0.95  
2
1
1.9  
2.9  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
SANYO : CP  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
--30  
--30  
-- 5  
V
V
I
--300  
--600  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
I
CP  
P
Mounted on a glass epoxy board (20✕30✕1.6mm).  
300  
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
--0.1  
--0.1  
500  
I
V
V
V
V
V
=--30V, I =0  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=--4V, I =0  
C
EBO  
h
FE  
=--2V, I =--10mA  
200  
C
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
T
=--10V, I =--50mA  
C
520  
MHz  
pF  
Cob  
=--10V, f=1MHz  
3
--110  
--0.9  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
Base-to-Emitter Saturation Voltage  
Marking : XQ  
V
V
(sat)  
(sat)  
I
I
=--100mA, I =--5mA  
--220  
--1.2  
mV  
V
CE  
C
B
=--100mA, I =--5mA  
BE  
C
B
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
O3003 TS IM TA-100648 No.7509-1/4  
1234

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与30A01C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
30A01M ONSEMI

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 		TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,300MA I(C),TO-236VAR
30A01S SANYO

获取价格

 		30A01S
30A01SP SANYO

获取价格

 		Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
30A02CH SANYO

获取价格

 		Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
30A02CH-TL-E ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor
30A02MH SANYO

获取价格

 		Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
30A02MH-TL-E ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor, -30V, -0.7A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH3
30A02MH-TL-H ONSEMI

获取价格

 		暂无描述
30A02SP ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,700MA I(C),SPAK
30A02SS SANYO

获取价格

 		Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

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