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30A02SS

更新时间： 2024-10-30 02:58:15
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三洋 - SANYO 放大器
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

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30A02SS 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：520 MHz
Base Number Matches：1

30A02SS 数据手册

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Ordering number : ENN7362  
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
30A02SS  
Low-Frequency  
General-Purpose Amplifier Applications  
Applications  
Package Dimensions  
unit : mm  
2159A  
•
Low-frequency Amplifier, high-speed switching,  
small motor drive.  
[30A02SS]  
Top View  
1.4  
Side View  
Features  
•
Large current capacitance.  
0.1  
0.25  
•
Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).  
3
R
(sat) typ=580mΩ[I =0.7A, I =35mA].  
CE  
C
B
•
•
Ultrasmall package facilitates miniaturization in end  
products.  
Small ON-resistance (Ron).  
1
2
0.45  
0.2  
Bottom View  
3
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
Side View  
2
1
SANYO : SSFP  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
--30  
--30  
-- 5  
V
V
V
I
--600  
--1.2  
200  
150  
mA  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
I
CP  
P
Mounted on a glass epoxy board (20✕30✕1.6mm)  
mW  
°C  
°C  
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
--100  
--100  
500  
I
V
CB  
V
EB  
V
CE  
V
CE  
V
CB  
=--30V, I =0  
nA  
nA  
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=--4V, I =0  
C
EBO  
h
FE  
=--2V, I =--10mA  
200  
C
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
T
=--10V, I =--50mA  
C
520  
4.7  
MHz  
pF  
Cob  
=--10V, f=1MHz  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
Base-to-Emitter Saturation Voltage  
Marking : XM  
V
V
(sat)  
I
=--200mA, I =--10mA  
--110  
--0.9  
--220  
--1.2  
mV  
V
CE  
C
B
(sat)  
I
C
=--200mA, I =--10mA  
BE  
B
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
O3003 TS IM TA-100698 No.7362-1/4  
1234

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