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30A01S

更新时间： 2024-10-30 07:39:43
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 54K
描述
30A01S

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30A01S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：520 MHz
Base Number Matches：1

30A01S 数据手册

 浏览型号30A01S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号30A01S的Datasheet PDF文件第3页 
注文コードNo. N 7 5 1 1  
No. N 7511  
O3003  
新
PNP エピタキシャルプレーナ形シリコントランジスタ  
30A01S  
用途 ・低周波電力増幅、ミューティング回路。  
低周波一般増幅用  
特長 ・電流容量が大きい。  
・コレクタ・エミッタ飽和電圧（抵抗）が低い：R (sat)typ=0.67Ω[I =0.3A,I =15m A]。  
CE  
C
B
・超小型パッケージのためセットの小型化、薄型化が可能である。  
・Ronが小さい。  
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
V
コレクタ・ベース電圧  
コレクタ・エミッタ電圧  
エミッタ・ベース電圧  
コレクタ電流  
V
V
V
－30  
－30  
－5  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
C
－300  
－600  
200  
m A  
m A  
m W  
℃
℃
コレクタ電流（パルス）  
コレクタ損失  
I
CP  
P
ガラスエポキシ基板(20×30×1.6m m )装着時  
C
接合部温度  
Tj  
150  
保存周囲温度  
Tstg  
－55～＋150  
電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
m in  
200  
typ  
m ax unit  
コレクタしゃ断電流  
エミッタしゃ断電流  
直流電流増幅率  
I
V
V
V
V
V
=－30V,I =0  
E
－0.1  
－0.1  
500  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
I
EBO  
=－4V,I =0  
C
h
=－2V,I =－10m A  
C
FE  
利得帯域幅積  
f
T
=－10V,I =－50m A  
C
520  
3
M Hz  
pF  
出力容量  
Cob  
=－10V,f=1M Hz  
コレクタ・エミッタ飽和電圧  
ベース・エミッタ飽和電圧  
コレクタ・ベース降伏電圧  
コレクタ・エミッタ降伏電圧  
エミッタ・ベース降伏電圧  
V
V
V
V
V
(sat)  
(sat)  
I =－100m A,I =－5m A  
B
－110  
－0.9  
－220 m V  
CE  
BE  
C
I =－100m A,I =－5m A  
C B  
－1.2  
V
V
V
V
I =－10µA,I =0  
－30  
－30  
－5  
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
C
E
I =－1m A,R =∞  
C BE  
I =－10µA,I =0  
E
C
次ページへ続く。  
単体品名表示：XQ  
外形図ꢀ2106A  
(unit:m m )  
0.75  
0.6  
0.3  
3
0~0.1  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を  
要する用途（生命維持装置、航空機のコント  
ロールシステム等、多大な人的・物的損害  
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に  
はなっておりません。そのような場合には、  
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下  
さい。  
2
1
0.1  
0.2  
0.5 0.5  
1.6  
1:Base  
2:Em itter  
3:Collector  
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲  
等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果  
発生した機器の欠陥について、弊社は責任  
を負いません。  
SANYO :SM CP  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
O3003TS IM ◎佐藤TA-100646No.7511-1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
30A01SP SANYO

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 		Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
30A02CH SANYO

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 		Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
30A02CH-TL-E ONSEMI

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 		Bipolar Transistor
30A02MH SANYO

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 		Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
30A02MH-TL-E ONSEMI

获取价格

 		Bipolar Transistor, -30V, -0.7A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH3
30A02MH-TL-H ONSEMI

获取价格

 		暂无描述
30A02SP ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,700MA I(C),SPAK
30A02SS SANYO

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 		Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
30A030D ETC

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 		Industrial Control IC
30A050D ETC

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 		Industrial Control IC

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