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300GA170DN2

更新时间： 2024-09-17 23:20:43

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其他 - ETC		双极性晶体管
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IGBT Module

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300GA170DN2 数据手册

BSM 300 GA 170 DN2

IGBT Power Module

• Single switch

• Including fast free-wheeling diodes

• Package with insulated metal base plate

• R

= 5.6 Ohm

G on,min

Type

Package

Ordering Code

BSM 300 GA 170 DN2

BSM 300 GA 170 DN2 S

1700V 440A SINGLE SWITCH 1

1700V 440A SSW SENSE 1

C67070-A2706-A67

C67070-A2708-A67

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-gate voltage

1700

CGR

= 20 k

1700

± 20

Gate-emitter voltage

DC collector current

T = 25 °C

440

300

T = 80 °C

Pulsed collector current, t = 1 ms

Cpuls

T = 25 °C

880

600

T = 80 °C

Power dissipation per IGBT

tot

T = 25 °C

2500

+ 150

Chip temperature

°C

Storage temperature

-40 ... + 125

stg

Thermal resistance, chip case

Diode thermal resistance, chip case

Insulation test voltage, t = 1min.

Creepage distance

0.05

K/W

thJC

£ 0.17

4000

Vac

Clearance

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

sec

40 / 125 / 56

Oct-27-1997

12 3 4 5 6 7...9

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