5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK973(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 2SK973(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 2SK973(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 2SK973(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
2 A, 60 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| 2SK973L | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK973S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK974 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK974 | TOSHIBA |
获取价格 |
高速高压MOS大功率场效应管 |
|
| 2SK974(L) | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SK974(S) | RENESAS |
获取价格 |
3A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
