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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 18 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK982(F) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK982_07 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications |
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| 2SK995 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK996 | PANASONIC |
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Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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| 2SK998 | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK998-E | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK998-F | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK998-H | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SKF131AEL01 | TE |
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Key Switches, Medium Security |
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| 2SKF132AEL01 | TE |
获取价格 |
Key Switches, Medium Security |
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