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2SK4076-ZK-E1-AY

更新时间： 2024-10-14 14:47:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	112K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 35A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN

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2SK4076-ZK-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK4076-ZK-E1-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK4076

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK4076 is N-channel MOS FET designed for high current switching applications.

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK4076-ZK-E1-AY

2SK4076-ZK-E2-AY

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

Tape

TO-252 (MP-3ZK)

typ. 0.27 g

2500 p/reel

FEATURES

(TO-252)

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 16 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A)

R^DS(on)2= 25 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 8 A)

• Low C^iss: Ciss = 1200 pF TYP.

• Logic level drive type

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

±20

±35

±70

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.0

150

T^ch

Storage Temperature

T^stg

I^AS

–55 to +150

°C

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 20 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 μH

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

4.8

°C/W

R^th(ch-A)

125

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Document No. D18224EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published July 2006 NS CP(K)

Printed in Japan

2006

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SK4077-ZK-E1-AY	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
2SK4077-ZK-E2-AY	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
2SK4077-ZK-E2-AY	RENESAS	获取价格	20000mA, 40V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3
2SK4078	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK4078B	RENESAS	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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2SK4078B-ZK-E2-AY	RENESAS	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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