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2SK3718

更新时间： 2024-11-08 22:52:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体转换器晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 112K
描述
N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM

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2SK3718 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TUSM, SC-89, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76其他特性：LOW NOISE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最大漏极电流 (ID)：0.01 A
FET 技术：JUNCTIONJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3718 数据手册

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DATA SHEET  
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3718  
N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR  
FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM  
DESCRIPTION  
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)  
The 2SK3718 is suitable for converter of ECM.  
+0.1  
0.3 0.0ꢀ  
0.1  
–0.0ꢀ  
FEATURES  
3
• Low noise  
NV = −117 dB TYP. (VDS = 4.5 V, C = 10 pF, RL = 1.0 kΩ)  

2
1
• Especially suitable for telephone, cellular phone & audio  
• Small package SC-89 (TUSM)  
0.ꢀ  
0.ꢀ  
1.6 0.1  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
PACKAGE  
2SK3718  
SC-89 (TUSM)  
+0.1  
–0  
0.2  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
Drain to Source Voltage (VGS = −1.0 V)  
Gate to Drain Voltage  
Drain Current  
VDSX  
VGDO  
ID  
20  
−20  
V
V
EQUIVALENT CIRCUIT  
10  
mA  
mA  
mW  
°C  
2
Gate Current  
IG  
10  
3
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
100  
Tj  
125  
1
−55 to +125  
Tstg  
°C  
1: Source  
2: Drain  
3: Gate  
Caution Please take care of ESD (Electro Static Discharge) when you handle the device in this document.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. D16786EJ2V0DS00 (2nd edition)  
The mark  shows major revised points.  
Date Published April 2004 NS CP(K)  
Printed in Japan  
2003  
12345

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