2SK3713-SK

更新时间： 2024-11-08 22:52:59

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页	124K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3713-SK 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-262, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	6 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.83 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3713-SK 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3713

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

PART NUMBER

2SK3713-SK

PACKAGE

TO-262

The 2SK3713 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high voltage and high speed switching

applications.

FEATURES

• Super high VGS(off): VGS(off) = 3.8 to 5.8 V

• Low C^rss: Crss = 6.5 pF TYP.

• Low QG: QG = 25 nC TYP.

• Low on-state resistance:

R^DS(on)= 0.83 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 5 A)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)

PT1

600

±30

±10

±35

100

1.5

°C

PT2

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

IAS

−55 to +150

°C

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

EAS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 100 V, L = 100 µH, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16588EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published September 2003 NS CP(K)

Printed in Japan

2003

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3714	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3714-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3715	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3715-AZ	RENESAS	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK3716	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3716	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3716	RENESAS	获取价格	60000mA, 40V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA, TO-251, MP-3, 3 PIN
2SK3716	TYSEMI	获取价格	Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 6.5 m MAX. Built-in gate protection diode
2SK3716-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3716-Z	RENESAS	获取价格	60000mA, 40V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

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