2SK3593-01

更新时间： 2024-02-20 00:15:08

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	106K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3593-01 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TFP, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	387 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.4 A
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.041 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-XBCC-N4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	135 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3593-01 数据手册

2SK3593-01

FUJI POWER MOSFET

Typical Switching Characteristics vs. ID

Thermal Resistance vs. Drain Pad area

t=1.6mm FR-4 PCB

t=f(ID):Vcc=48V, VGS=10V, RG=10Ω

10³

10²

10¹

10⁰

100

td(off)

td(on)

10^-1

10⁰

10¹

10²

1000

2000

3000

4000

5000

Drain Pad Area [mm²]

ID [A]

Maximum Avalanche Current Pulsewidth

I_AV=f(t_AV):starting Tch=25°C,Vcc=48V

10²

Single Pulse

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

10^-8

10^-7

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

t_AV[sec]

Maximum Transient Thermal Impedance

Zth(ch-c)=f(t):D=0

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

10^-3

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

t [sec]

http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/

1 2 34

中文翻译

下载PDF

与2SK3593-01相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3594-01	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3595-01MR	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3596-01L	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3596-01L_03	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3596-01S	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3596-01SJ	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3596-0SJ	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3597	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3597-01	SANYO	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3597-01	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET