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2SK3019EBTCL

更新时间： 2024-01-06 23:39:39

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罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	953K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EMT3F, 3 PIN

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2SK3019EBTCL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3019EBTCL 数据手册

Data Sheet

ꢀ

2SK3019EB

1000

500

200m

Ta=25°C

Pulsed

Ta=25°C

f=1MH

GS=0V

DD=5V

GS=5V

100m

50m

d(off)

RG=10Ω

Pulsed

200

100

Ciss

20m

10m

GS=4V

Coss

d(on)

Crss

0.5m

0.2m

0.1m

0.5

0.1 0.2

0.5

10 20 50

100

0.5

1.5

DRAIN CURRENT : ID (mA)

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)

SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)

Fig.12 Switching characteristics

Fig.11 Typical capacitance vs.

drain-source voltage

Fig.10 Reverse drain current vs.

source-drain voltage (ΙΙ)

www.rohm.com

2011.10 - Rev.A

4/5

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