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2SK2982

更新时间： 2024-02-04 06:58:10

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8页	741K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-251AA

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2SK2982 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	TO-252, MP-3Z, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.019 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2982 数据手册

2SK2982

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE

100

4.5 V

10 V

VGS = 4.0 V

GS = 0 V

0.1

Pulsed

1.5

= 15 A

150

0.02

1.0

100

0.5

−50

- Source to Drain Voltage - V

ch - Channel Temperature - ˚C

SWITCHING CHARACTERISTICS

CAPACITANCE vs. DRAIN TO

SOURCE VOLTAGE

1000

100

10000

1000

GS = 0 V

f = 1 MHz

d(off)

Ciss

d(on)

Coss

Crss

100

DD = 15 V

GS = 10 V

= 10 Ω

0.1

100

0.1

100

- Drain Current - A

VDS - Drain to Source Voltage - V

REVERSE RECOVERY TIME vs.

DRAIN CURRENT

DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS

1000

100

di/dt = 100 A/µs

GS = 0 V

I = 30 A

DD = 24 V

15 V

6 V

0.1

100

- Drain Current - A

- Gate Charge - nC

Data Sheet D12354EJ3V0DS

1 2 3 456 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK2982-Z	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-252AA	获取价格
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