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2SK2625LS

更新时间： 2024-11-14 22:52:55
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三洋 - SANYO 晶体开关晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 31K
描述
Ultrahigh-Speed Switching Applications

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2SK2625LS 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220FI
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2625LS 数据手册

 浏览型号2SK2625LS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2625LS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2625LS的Datasheet PDF文件第4页 
Ordering number : ENN7081  
N-Channel Silicon MOSFET  
2SK2625LS  
Ultrahigh-Speed Switching Applications  
Preliminary  
Features  
Package Dimensions  
unit : mm  
•
Low ON-resistance.  
• Low Qg.  
2078C  
[2SK2625LS]  
10.0  
4.5  
3.2  
2.8  
0.9  
1.2  
1.2  
0.75  
0.7  
1
2
3
1 : Gate  
2 : Drain  
3 : Source  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
2.55  
2.55  
SANYO : TO-220FI(LS)  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
600  
±30  
4
DSS  
GSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
I
A
D
Drain Current (Pulse)  
I
16  
A
DP  
2.0  
30  
W
W
°C  
°C  
Allowable Power Dissipation  
P
D
Tc=25°C  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Tch  
150  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
600  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=1mA, V =0  
V
mA  
nA  
V
(BR)DSS  
D
GS  
=600V, V =0  
I
V
V
V
V
1.0  
±100  
5.5  
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
I
=±30V, V =0  
DS  
GSS  
V (off)  
GS  
=10V, I =1mA  
3.5  
1.5  
D
Forward Transfer Admittance  
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
Marking : K2625  
yfs  
(on)  
=10V, I =2.5A  
3.0  
1.5  
S
D
R
I
=2.5A, V =15V  
2.0  
Ω
DS  
D GS  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
O2501 TS IM TA-3475  
No.7081-1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2626 ETC

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