生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220FI |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.83 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.5 A |
最大漏源导通电阻: | 4.8 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 25 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 7.5 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2633LS | SANYO |
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2SK2633LS | |
2SK2634 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-262AA | |
2SK2635 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | |
2SK2636 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 7A I(D) | |
2SK2637 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO | |
2SK2638-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2639-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2640 | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2640-01MR | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2641-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |