是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.83 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 20 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2329(L)-(2) | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,10A I(D),TO-251VAR |
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2SK2329(L)|2SK2329(S) | ETC |
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2SK2329(S)-(1) | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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2SK2329(S)-(2) | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252VAR |
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2SK2329(S)-(3) | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252VAR |
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2SK2329(S)TL | RENESAS |
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10A, 30V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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2SK2329(S)TR | HITACHI |
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暂无描述 |
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2SK2329-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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2SK2329L | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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2SK2329S | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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