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2SK2275

更新时间： 2024-02-05 13:30:25
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
页数 文件大小 规格书
8页 97K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2275 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84其他特性：HIGH VOLTAGE, AVALANCHE RATING
雪崩能效等级（Eas）：22 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：2.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2275 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK2275  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
The 2SK2275 is N-channel Power MOS Field Effect Transis-  
tor designed for high voltage switching applications.  
PACKAGE DIMENSIONS  
(in millimeters)  
10.0 0.ꢀ  
4.5 0.2  
φꢀ.2 0.2  
FEATURES  
2.7 0.2  
Low On-state Resistance  
•
RDS(on) = 2.8 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)  
LOW Ciss  
Ciss = 1 000 pF TYP.  
•
•
High Avalanche Capability Ratings  
1
2 ꢀ  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
VDSS  
VGSS  
ID (DC)  
900  
±30  
±3.5  
V
V
A
0.65 0.1  
0.7 0.1  
1.ꢀ 0.2  
2.5 0.1  
Drain Current (pulse)  
ID (pulse)* ±14  
A
1.5 0.2  
2.54 TYP.  
Total Power Dissipation (TC = 25 °C) PT1  
Total Power Dissipation (Ta = 25 °C) PT2  
35  
W
W
2.54 TYP.  
2.0  
1. Gate  
2. Drain  
ꢀ. Source  
Storage Temperature  
Tstg –55 to +150 °C  
Channel Temperature  
Tch  
150  
3.5  
22  
°C  
A
1
2 ꢀ  
Single Avalanche Current  
Single Avalanche Energy  
*PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%  
IAS**  
EAS**  
mJ  
MP-45F (ISOLATED TO-220)  
Drain (D)  
**Starting Tch = 25 °C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V →0  
The diode connected between the gate and source of the  
transistor serves as a protector against ESD. When this device  
is actually used, an additional protection circuit is externally  
required if a voltage exceeding the rated voltage may be  
applied to this device.  
Body diode  
Gate (G)  
Source (S)  
Document No. TC-2510  
(O.D. No. TC–8069)  
Date Published February 1995 P  
Printed in Japan  
1995  
©
12345678

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