5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2291 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220AB |
|
| 2SK2292-01L | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
|
| 2SK2292-01S | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
|
| 2SK2293 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2293C7 | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| 2SK2294 | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SK2295 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2298 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK2298C7 | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| 2SK2299 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | SOT-186 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
