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2SK2281

更新时间: 2024-01-19 20:33:21
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其他 - ETC 晶体晶体管
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2页 364K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252VAR

2SK2281 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.88配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A
最大漏极电流 (ID):10 A最大漏源导通电阻:0.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:2
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:25 W最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):230 ns最大开启时间(吨):70 ns
Base Number Matches:1

2SK2281 数据手册

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