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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 210 ns | 最大开启时间（吨）： | 75 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2215-01L | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK2215-01S | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK2216 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK2217 | RENESAS |
获取价格 |
RF POWER, FET, RFPAK-2 |
|
| 2SK2218 | SANYO |
获取价格 |
High-Frequency Low-Noise Amp Applications |
|
| 2SK2218-3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR|JFET|N-CHANNEL|40MA I(DSS)|SOT-89 |
|
| 2SK2218-4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR|JFET|N-CHANNEL|48MA I(DSS)|SOT-89 |
|
| 2SK2218-5 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR|JFET|N-CHANNEL|57MA I(DSS)|SOT-89 |
|
| 2SK2219 | SANYO |
获取价格 |
Capacitor Microphone Applications |
|
| 2SK221H | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3 |
|
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