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2SK2226-01

更新时间: 2024-01-12 01:33:03
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 85K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB

2SK2226-01 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.83
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:80 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):1150 ns最大开启时间(吨):40 ns
Base Number Matches:1

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