是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | TO-3P |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.3 | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A |
最大漏极电流 (ID): | 8 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 100 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2222 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 800 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | |
2SK2223-01R | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2224-01R | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2225 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK2225 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK2225-80-E | RENESAS |
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Nch Single Power MOSFET 1500V 2A 12000mOhm TO-3PFP | |
2SK2225-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK2226-01 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB | |
2SK2226-01L | FUJI |
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N-channel MOS-FET | |
2SK2226-01S | FUJI |
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N-channel MOS-FET |