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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.21 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2220 | RENESAS |
功能相似  |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2220 | HITACHI |
功能相似 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2221 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2221 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2221-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2222 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 800 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK2223-01R | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK2224-01R | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK2225 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2225 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2225-80-E | RENESAS |
获取价格 |
Nch Single Power MOSFET 1500V 2A 12000mOhm TO-3PFP |
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| 2SK2225-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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