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2SK2221

更新时间: 2024-09-30 06:25:11
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
6页 72K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK2221 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.28外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大漏极电流 (ID):8 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK2221 数据手册

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2SK2220, 2SK2221  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G1004-0200  
(Previous: ADE-208-1352)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
Low frequency power amplifier  
Complementary pair with 2SJ351, 2SJ352  
Features  
High power gain  
Excellent frequency response  
High speed switching  
Wide area of safe operation  
Enhancement-mode  
Good complementary characteristics  
Equipped with gate protection diodes  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A  
(Package name: TO-3P)  
D
1. Gate  
G
2. Source  
(Flange)  
3. Drain  
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 5  

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