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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | GATE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2218-5 | ETC |
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TRANSISTOR|JFET|N-CHANNEL|57MA I(DSS)|SOT-89 |
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| 2SK2219 | SANYO |
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Capacitor Microphone Applications |
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| 2SK221H | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3 |
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| 2SK222 | SANYO |
获取价格 |
High-Frequency, Low-Noise Amp Applications |
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| 2SK2220 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2220 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2220|2SK2221 | ETC |
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| 2SK2220-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2221 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2221 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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