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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.11 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 70 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.65 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1909FD | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-263AB |
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| 2SK190-F | HITACHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction F |
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| 2SK190-G | HITACHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction F |
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| 2SK190-H | HITACHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction F |
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| 2SK1910 | ETC |
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| 2SK1911 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK1913 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 4 A, 600 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220IS, TO-220IS, 3 PIN, F |
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| 2SK1915 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1915TE24L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1915TE24R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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