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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.28 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1918S | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1918S | RENESAS |
获取价格 |
25A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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| 2SK1919(L) | HITACHI |
获取价格 |
40A, 60V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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| 2SK1919(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK1919(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK1919(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK1919S | HITACHI |
获取价格 |
40A, 60V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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| 2SK1920 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK1920FA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SK1920-TL | ONSEMI |
获取价格 |
4000mA, 250V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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