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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1636STL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1636STR-E | RENESAS |
获取价格 |
2SK1636STR-E |
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| 2SK1637 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1637 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1637|2SK2422 | ETC |
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| 2SK1637-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1638 | ISC |
获取价格 |
Drain Current âID= 3A@ TC=25C |
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| 2SK1639 | ISC |
获取价格 |
Drain Current âID= 4A@ TC=25C |
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| 2SK163K | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK163L | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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