生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.76 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1647(S)-(2) | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,2A I(D),TO-263AB | |
2SK1647(S)TL | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
2SK1647(S)TL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 900V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
2SK1647(S)TR | RENESAS |
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2A, 900V, 7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | |
2SK1647L | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1647L | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1647L-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1647S | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1647S | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1647STL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |