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2SK1647(S)-(1)

更新时间: 2024-09-24 14:46:23
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
8页 37K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,2A I(D),TO-263ABVAR

2SK1647(S)-(1) 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.76
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YESBase Number Matches:1

2SK1647(S)-(1) 数据手册

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2SK1647(L), 2SK1647(S)  
Silicon N-Channel MOS FET  
ADE-208-1306 (Z)  
1st. Edition  
Mar. 2001  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator and DC-DC converter  
Outline  
LDPAK  
4
4
1
2
3
1
2
3
D
G
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S

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