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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.13 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1647L-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1647S | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1647S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1647STL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1647STR-E | RENESAS |
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Nch Single Power MOSFET 900V 2A 7000mohm LDPAK(S)-(1)/TO-263 |
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| 2SK1648(L) | RENESAS |
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15A, 60V, 0.095ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1648(S) | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK1648(S)TL | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK1648(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK1648L | ETC |
获取价格 |
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