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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 6 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | X BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1646-04 | ONSEMI |
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TRANSISTOR,MESFET,N-CHAN,6V V(BR)DSS,30MA I(DSS),SOT-143VAR |
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| 2SK1646-04H | ONSEMI |
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TRANSISTOR,MESFET,N-CHAN,6V V(BR)DSS,40MA I(DSS),SOT-143VAR |
|
| 2SK1646-05H | ONSEMI |
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TRANSISTOR,MESFET,N-CHAN,6V V(BR)DSS,45MA I(DSS),SOT-143VAR |
|
| 2SK1647 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1647 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1647(L) | RENESAS |
获取价格 |
7ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |
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| 2SK1647(L)|2SK1647(S) | ETC |
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| 2SK1647(S) | RENESAS |
获取价格 |
7ohm, POWER, FET, LDPAK-3 |
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| 2SK1647(S)-(1) | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,2A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SK1647(S)-(2) | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(BR)DSS,2A I(D),TO-263AB |
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